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美光攜英特爾推出3bitpercellNAND閃存

2010年08月19日 10:49   來源:中國數(shù)字視聽網(wǎng)   作者:karl   字體【

       近日,美光科技公司 和英特爾公司聯(lián)合推出25納米 (nm) 制程的3-bit-per-cell (3bpc) NAND 閃存,該 NAND 設(shè)備擁有業(yè)界最大的容量和最小的尺寸。兩家公司已將初始產(chǎn)品樣品送到部分客戶手中。美光與英特爾預(yù)計在今年年底時量產(chǎn)該產(chǎn)品。

       與競爭對手 USB、SD (Secure Digital) 閃存卡和消費電子產(chǎn)品相比,新推出的 25nm 64Gb 3bpc 存儲設(shè)備的性價比更高且存儲量更大。閃存主要用于存儲數(shù)據(jù)、照片或其它多媒體,如計算機(jī)應(yīng)用和數(shù)碼設(shè)備(數(shù)碼相機(jī)、便攜式媒體播放器、便攜式數(shù)碼攝像機(jī)和各類個人電腦)之間的數(shù)據(jù)捕捉和傳輸。這些市場一直處在以更低成本提供更高存儲容量產(chǎn)品的壓力之下。

        由雙方合資組建的 NAND 閃存公司IM Flash Technologies(簡稱 IMFT) 所開發(fā)的這項 64Gb(或8GB)25nm 光刻技術(shù),可提供每單位3比特的信息容量,而傳統(tǒng)技術(shù)只能提供1比特(單層存儲單元)或2比特(多層存儲單元)。業(yè)內(nèi)也將3bpc稱為三層存儲單元(triple-level cell, 簡稱 TLC)。

        該設(shè)備的尺寸與美光和英特爾容量相同的 25nm MLC(多層存儲單元)相比,體積要小20%以上,是目前市場上最小的單個 8GB 設(shè)備。從產(chǎn)品固有的緊湊型設(shè)計上看,小尺寸閃存對消費終端產(chǎn)品閃存卡顯得尤為重要。芯片面積為131平方毫米,符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) TSOP(薄型小尺寸封裝)封裝。

        美光 NAND 解決方案事業(yè)部副總裁 Brian Shirley 說:“鑒于 NAND 閃存對消費電子產(chǎn)品的重要性日益顯著,我們將及早向 25nm TLC 過渡視為不斷擴(kuò)大 NAND 存儲產(chǎn)品組合的一大競爭優(yōu)勢。我們已經(jīng)在努力根據(jù)包括 Lexar Media(雷克沙)和美光的更高容量終端產(chǎn)品的設(shè)計,來打造符合要求的 8GB TLC NAND 閃存產(chǎn)品。”

美光攜英特爾推出3bitpercellNAND閃存

美光攜英特爾推出3bitpercellNAND閃存

        英特爾副總裁兼NAND 解決方案事業(yè)部總經(jīng)理 Tom Rampone 表示:“自業(yè)界尺寸最小的 25nm 芯片在1月問世,25nm 3bpc 產(chǎn)品也緊隨其后,我們將繼續(xù)加速向前發(fā)展,為客戶提供一系列卓越的領(lǐng)先產(chǎn)品。Intel 計劃在新推出的 8GB TLC 25nm NAND 設(shè)備的基礎(chǔ)上,利用 IMFT 在設(shè)計和制造上的優(yōu)勢,為我們的客戶打造更高密度、更具成本競爭力的產(chǎn)品。”

關(guān)于英特爾

       英特爾公司 (納斯達(dá)克交易代碼:INTC) 是硅技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)域的全球領(lǐng)先廠商,致力于開發(fā)技術(shù)、產(chǎn)品和計劃,不斷改進(jìn)人們的工作和生活方式。

美光科技簡介

       美光科技公司 (Micron Technology, Inc.) 是世界領(lǐng)先的先進(jìn)半導(dǎo)體解決方案供貨商之一。通過全球化的運營,美光制造和銷售一系列 DRAM、NAND 和 NOR 閃存,以及其他創(chuàng)新存儲技術(shù)、封裝解決方案和和半導(dǎo)體模塊,用于前沿的計算、消費、網(wǎng)絡(luò)、嵌入式和移動產(chǎn)品。

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(編輯:Karl)

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